H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $7,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |