H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix y K4A8G085WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,25 | $7,38 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interfaz | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |