H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-UHI 제조: SK hynix 및 K4A8G085WC-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.25 | $7.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 인터페이스 | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |