H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix и K4A8G085WC-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,25 | $7,38 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Интерфейс | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |