H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WC-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix e K4A8G085WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,25 | $7,38 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Taxa de dados | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |