IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N04S6N010ATMA1 par Infineon et IAUA120N04S5N014AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 - 40V 120A 1.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $2,18 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 1.4 mΩ |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 136 W |
| Nombre de broches | — | 5 + Tab (6 effective) |
| Gate Drive | — | Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |