IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon 및 IAUA120N04S5N014AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.68 $2.18
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 MOSFET (Metal Oxide)
패키지 PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
핀 수 — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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