IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon et ISC045N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L013ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,96 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 5 / Trench |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |