IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN08S7L013ATMA1 от Infineon и ISC045N03L5SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUCN08S7L013ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,96 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +150 °C |
| Корпус | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 5 / Trench |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |