IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN08S7L013ATMA1 제조: Infineon 및 ISC045N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN08S7L013ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.96 $0.51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
연속 드레인 전류 (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
패키지 PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 / Trench
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

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