IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN08S7L013ATMA1 メーカー: Infineon および ISC045N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 - 80V N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L013ATMA1 ✓ 生産中
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ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN08S7L013ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.96 $0.51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
連続ドレイン電流(TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
パッケージ PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 / Trench
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

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