IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD60R380C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | CoolMOS C6 Superjunction |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 10.6 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 380 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 83 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Tab Connection | — | Exposed pad (electrically connected to drain) |