IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R041C6FKSA1 par Infineon et SPW47N60C3 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPW60R041C6FKSA1 SPW47N60C3
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,40 $6,10
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
Boîtier PG-TO247-3-1 (TO-247-3) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Niveau MSL Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

Fiches techniques et ressources

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