IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPW60R041C6FKSA1 от Infineon и SPW47N60C3 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
SPW47N60C3 SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 - 650V 47A CoolMOS C3 Power MOSFET | Infineon

SPW47N60C3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPW60R041C6FKSA1 SPW47N60C3
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,40 $6,10
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
Корпус PG-TO247-3-1 (TO-247-3) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Уровень MSL Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену