IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPW60R041C6FKSA1 por Infineon e SPW47N60C3 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPW60R041C6FKSA1 SPW47N60C3
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,40 $6,10
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
Encapsulamento PG-TO247-3-1 (TO-247-3) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Nível MSL Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

Fichas técnicas e recursos

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