IPW60R041C6FKSA1 vs SPW47N60C3 比較

詳細な並列比較: IPW60R041C6FKSA1 メーカー: Infineon および SPW47N60C3 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPW60R041C6FKSA1 SPW47N60C3
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 NRND 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.40 $6.10
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
パッケージ PG-TO247-3-1 (TO-247-3) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
実装タイプ Through Hole Through Hole
MSLレベル Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

データシート&リソース

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