IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRPBF par Infineon et IRFR540ZTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3710ZTRPBF | IRFR540ZTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | 110 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: typical V] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET™ / HEXFET® |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 35 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 28.5 mΩ max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: ±V rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 39 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 91 W |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer |