IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR3710ZTRPBF 제조: Infineon 및 IRFR540ZTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.42 $0.82
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 110 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical V]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ / HEXFET®
패키지 TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 28.5 mΩ max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 91 W
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청