IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3710ZTRPBF メーカー: Infineon および IRFR540ZTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ 生産中
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IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $0.82
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 110 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical V]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
動作接合温度 -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ / HEXFET®
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 28.5 mΩ max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 91 W
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer

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