IRFR3806TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3806TRPBF par Infineon et IRFH8318TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3806TRPBF IRFH8318TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,48
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 41 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Boîtier — PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis