IRFR3806TRPBF vs IRFH8318TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3806TRPBF メーカー: Infineon および IRFH8318TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR3806TRPBF IRFH8318TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $0.48
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 41 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
パッケージ — PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
動作温度 — -55°C to +150°C
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
MSLレベル — 1
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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