IRFR3806TRPBF vs IRFH8318TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR3806TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH8318TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR3806TRPBF IRFH8318TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.52 $0.48
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 41 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
패키지 / 케이스 TO-252AA (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
동작 온도 범위 -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
패키지 — PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
동작 온도 — -55°C to +150°C
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — 1
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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