IRFR3806TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon e IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3806TRPBF IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $0,48
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 41 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Encapsulamento — PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Temperatura de operação — -55°C to +150°C
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

Fichas técnicas e recursos

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