K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G165WF-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3LK4L40DM-BGCT par Samsung Electronics et K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $40,50 | $8,20 |
| Type de mémoire | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: Data Rate] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Boîtier | — | FBGA-96 (PBGA96) |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |