K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G165WF-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3LK4L40DM-BGCT 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WF-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $40.50 | $8.20 |
| 메모리 유형 | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: Data Rate] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | SSTL-12 |
| 패키지 | — | FBGA-96 (PBGA96) |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |