K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G165WF-BCTD 比較
詳細な並列比較: K3LK4L40DM-BGCT メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WF-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $40.50 | $8.20 |
| メモリタイプ | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| データレート | [DATA_NEEDED: Data Rate] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| インターフェース | — | SSTL-12 |
| パッケージ | — | FBGA-96 (PBGA96) |
| 特長 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |