K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G165WF-BCTD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3LK4L40DM-BGCT por Samsung Electronics e K4A4G165WF-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $40,50 | $8,20 |
| Tipo de memória | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: Data Rate] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Encapsulamento | — | FBGA-96 (PBGA96) |
| Recursos | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |