K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48AGBDX018N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIWM par Samsung Electronics et H5CG48AGBDX018N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,85 | $87,42 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| Débit de données | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +85C |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| Boîtier | — | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| Interface | — | JEDEC DDR5 |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |