K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48AGBDX018N Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BIWM por Samsung Electronics e H5CG48AGBDX018N por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,85 | $87,42 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| Taxa de dados | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +85C |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| Encapsulamento | — | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| Interface | — | JEDEC DDR5 |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |