K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48AGBDX018N 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BIWM 제조: Samsung Electronics 및 H5CG48AGBDX018N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.85 | $87.42 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +85C |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| 패키지 | — | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| 인터페이스 | — | JEDEC DDR5 |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |