K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48AGBDX018N 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics および H5CG48AGBDX018N メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.85 | $87.42 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| データレート | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| メモリ構成 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| 電源電圧 | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +85C |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| パッケージ | — | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| インターフェース | — | JEDEC DDR5 |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |