MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16AD-062E par Micron Technology et K4A8G165WG-BCWE par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ Actif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16AD-062E K4A8G165WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $29,53
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (Row Cycle) 19 ns —
Interface Parallel (POD) —
Boîtier 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT:E (automotive variant) —
Speed Grade -062E —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] 1.2 V
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Prefetch Architecture 8n with bank groups —
HS Code (USHTS) 8542320071 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: reel quantity] —
Memory Organization — 512M x 16
Débit de données — 3200 Mbps
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Lead-Free — Yes
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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