MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16AD-062E メーカー: Micron Technology および K4A8G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 生産中Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $9.20 | $29.53 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 8 Gbit |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel (POD) | — |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| 電源電圧 | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| ライフサイクル状態 | — | Active |