MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16AD-062E от Micron Technology и K4A8G165WG-BCWE от Samsung Electro-Mechanics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ АктивенSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,20 | $29,53 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Интерфейс | Parallel (POD) | — |
| Корпус | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Статус жизненного цикла | — | Active |