MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16AD-062E 제조: Micron Technology 및 K4A8G165WG-BCWE 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 활성Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.20 | $29.53 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel (POD) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 수명 주기 상태 | — | Active |