MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16AD-062E por Micron Technology e K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ AtivoSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $9,20 | $29,53 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel (POD) | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Taxa de dados | — | 3200 Mbps |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Status do ciclo de vida | — | Active |