1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7136UXTSA1 1EDN7126GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-side / Low-side gate driver IC Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 1.5 A
Peak Sink Current 2 A 1.5 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +150 C -40C to +125C
מארז TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family convention) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר