BSC014N04LSATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon ו BSC155N06NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC014N04LSATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| מארז | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Configuration | — | Dual N-channel MOSFET array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |