BSG0813NDIATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSG0813NDIATMA1 מאת Infineon ו BSC019N04LSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSG0813NDIATMA1 BSC019N04LSTATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 Power Block —
FET Type N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck) —
Configuration High-side + Low-side, integrated —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) 19 A —
High-Side Continuous Drain Current (ID) 33 A —
Power Dissipation (PD) 2.5 W —
מארז PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
RDS(on) - Low-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS] —
RDS(on) - High-Side [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology Generation OptiMOS 5 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
טופולוגיה Synchronous buck half-bridge —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר