EP2C8F256I8N vs EP2C8F256CXNAA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP2C8F256I8N מאת Intel ו EP2C8F256CXNAA מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP2C8F256I8N | EP2C8F256CXNAA |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| Series | Cyclone II | — |
| Logic Elements (LEs) | 8,256 | — |
| Embedded Memory Bits | 165,888 bits | — |
| Total RAM Bits | 165,888 | — |
| Logic Blocks / Logic Cells | 540 (Logic Cells) | — |
| User I/O Pins | 182 | — |
| Number of LABs/CLBs | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | Up to 36 | 18 |
| PLLs | 2 | 4 |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | 1.15 V to 1.25 V |
| I/O Supply Voltage | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS (SRAM-based) | 90 nm |
| Package Type | 256-LBGA (FineLine BGA), 17x17 mm, 1.0 mm pitch | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C (industrial) | — |
| Configuration Method | SRAM, loaded from external EPCS flash at power-up | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free, lead-free reflow compatible) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Family | — | Cyclone II |
| Logic Elements | — | 8,256 |
| Embedded Memory (M4K blocks) | — | 36 blocks (162 Kbits total) |
| Maximum User I/O Pins | — | 182 |
| User Flash Memory | — | 0 Kbits |
| I/O Standards | — | LVCMOS, LVTTL (3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V) |
| מארז | — | 256-ball FineLine BGA (F256), 1.0 mm pitch, 17x17 mm |
| Configuration Modes | — | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (N suffix) |
| RoHS Compliance | — | Yes (lead-free) |
| רמת MSL | — | 3 |