H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-UHI מאת SK hynix ו H5AN4G8NBJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| ממשק | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| סטטוס מחזור חיים | — | Active |