IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6L014ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N04S6N031HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| מארז | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| מספר פינים | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |