IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N056DATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| מארז | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |