IAUTN04S7N003ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUTN04S7N003ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N015GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUTN04S7N003ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 357 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.24 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Avalanche Single-Pulse Current | [DATA_NEEDED: IAS] | — |
| Body Diode Continuous Forward Current | 350 A (Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Pulse Current | 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) | — |
| Body Diode Forward Voltage (VSD) | 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns typical / 125 ns max | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 126 nC typical / 252 nC max | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| מארז | PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |