IGLD60R070D1AUMA3 vs ISC015N06NM5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IGLD60R070D1AUMA3 מאת Infineon ו ISC015N06NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IGLD60R070D1AUMA3 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 15 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 114 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Output Charge (Qoss) | [DATA_NEEDED: Qoss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | Near zero (GaN technology) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 380 pF @ 400 V (per Utmel) | — |
| מארז | PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 3 | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Operating Temperature (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| Series | CoolGaN™ | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |