IGLD60R070D1AUMA3 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLD60R070D1AUMA3 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLD60R070D1AUMA3 ISC015N06NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W —
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
پیکیج PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 3 —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ —
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں