IPB027N10N3GATMA1 vs IPB120N10S405ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB027N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB120N10S405ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB027N10N3GATMA1 IPB120N10S405ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) Enhancement Mode (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
מארז PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] [DATA_NEEDED: Qg]
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 190 W
On-Resistance R_DS(on) (typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
Avalanche Tested — 100% (production-screened)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Gate Threshold Voltage (typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr - body diode]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר