IPB100N12S305ATMA2 vs IPP075N15N3GXKSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB100N12S305ATMA2 מאת Infineon ו IPP075N15N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB100N12S305ATMA2 | IPP075N15N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 120V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) | 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1445 mJ | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 7.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] |
| מארז | — | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS Compliant |
| Ordering Code Suffix | — | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) |