IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB120P04P4L03ATMA2 מאת Infineon ו IPB180P04P4L02ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB120P04P4L03ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) 7 (6 + tab)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
סוג טרנזיסטור — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Tab Connection — Drain

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר