IPD320N20N3GATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD320N20N3GATMA1 מאת Infineon ו IAUC100N10S5N040ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD320N20N3GATMA1 | IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS-5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 100 A (package-limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 167 W @ TC=25C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.9 K/W |
| רמת MSL | — | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for Automatic Optical Inspection |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |